Ho an'ireo mpividy iraisam-pirenena sy tompon'andraikitra amin'ny fividianana, ny fahatakarana ny lokon'ny vovobony karbida silisiôma dia tsy fepetra ara-teknika fotsiny - ilaina amin'ny fifaninanana izany. Na ampiasaina ho deoxidizer amin'ny famokarana vy, abrasive avo lenta, na singa manan-danja amin'ny elektrônika herinaratra elektrika (EV), ny SiC dia manolotra fampifangaroana tsy manam-paharoa amin'ny hamafin'ny hafanana, ny fampitaovana mafana ary ny fahamarinan-toerana simika.
Inona no atao hoe Silicon Carbide (SiC)?
Silicon carbide dia semiconductor mitambatra ahitana silisiôma sy karbaona. Eo amin'ny natiora, tsy fahita firy izy io, tsy hita afa-tsy amin'ny habetsaky ny meteorita sasany sy ny fametrahana corundum. Vokatr'izany, saika ny carbide silisiôma rehetra ampiasaina amin'ny indostria dia novokarina tamin'ny fomba synthetic.
Ny rafitra kristaly
Ny SiC dia miavaka satria mampiseho polymorphisme izy, midika izany fa mety misy amin'ny endrika kristaly mihoatra ny 250. Ny rafitra mahazatra indrindra dia ahitana:
Alpha Silicon Carbide (α-SiC): Ny polymorph mahazatra indrindra, miavaka amin'ny rafitra kristaly hexagonal. Izy io dia miorina amin'ny mari-pana mihoatra ny 1700°C.
Beta Silicon Carbide (β-SiC): Ity endrika ity dia manana rafitra kristaly toratelo (mitovitovy amin'ny diamondra) ary miforona amin'ny mari-pana ambanin'ny 1700 ° C.
Toetra fototra ara-batana sy simika
Nahoana no tena tadiavina ny vovoka SiC? Tsy manan-tsahala ny maridrefin'ny fahombiazany:
Hatezerana faran'izay mafy: Miaraka amin'ny hamafin'ny Mohs 9.0 hatramin'ny 9.5, dia faharoa amin'ny diamondra sy boron carbide izy io.
Fitondran-tena avo lenta: SiC dia manala hafanana haingana kokoa noho ny ankamaroan'ny metaly, ka mahatonga azy io ho tsara amin'ny tontolo mafana.
Fanitarana Thermal Ambany: Manohitra ny fikorontanana na ny fitifirana eo ambanin'ny fiovan'ny mari-pana tampoka (fanamafisam-peo mafana tsara).
Ny tsy fahampian-tsakafo simika: Tena mahatohitra ny harafesina avy amin'ny asidra, alkali, ary sira voarendrika, na dia amin'ny hafanana avo aza.
Semiconducting Properties: Tsy toy ny abrasives maro hafa, SiC dia semiconductor midadasika midadasika, izay manova ny indostrian'ny elektronika herinaratra.
Ny dingana famokarana: ny fomba Acheson sy ny ankoatra
Ny famokarana ny fahadiovana avo
vovoka silisiôma carbidedia dingana mitaky renivola sy mavesatra.
Ny dingana Acheson
Noforonin'i Edward Goodrich Acheson tamin'ny 1891, io no fomba voalohany amin'ny famokarana lehibe.
Akora fototra: Fasika silica madiodio (SiO2) sy coke petroleum (C) no mifangaro. Amin'ny toe-javatra sasany, sawdust sy sira asiana mba hifehy ny porosity sy hanesorana ny loto.
Ny lafaoro elektrika: Ny fangaro dia apetraka ao anaty lafaoro fanoherana. Misy korian-jiro mandeha amin'ny atiny grafita, manafana ny fangaro manodidina amin'ny mari-pana eo anelanelan'ny 1,700 ° C sy 2,500 ° C.
Fihetseham-po simika: Miseho ny fanehoan-kevitra SiO2 + 3C → SiC + 2CO.
Fijinjana: Rehefa mihamangatsiaka ny lafaoro dia miforona ny “cylindrical” lehibe misy kristaly SiC. Ny fotony dia misy ny fahadiovana avo indrindra (Green SiC), raha ny sosona ivelany kosa dia manome Black SiC.
Hiverina any amin'ny powder
Rehefa voaangona ny kristaly manta, dia mandalo dingana maromaro izy ireo:
Famotehana sy fikosoham-bary: Mampiasa milina fanorotoro valanorano, fikosoham-bary, na fikosoham-bary mba hampihenana ny kristaly ho vovoka.
Fanasokajiana (Sizing): Mampiasa efijery mihozongozona na mpanasokajy rivotra mba hahazoana antoka fa mifanaraka amin'ny habe manokana ny vovony (ohatra ny fenitry ny FEPA, JIS, na ANSI).
Fanasana sy fanadiovana asidra: Mba hanesorana vy, silisiôma maimaim-poana, na karbaona, ny vovony dia matetika tsaboina amin'ny simika mba hahatratrarana ny haavon'ny fahadiovana amin'ny 98% hatramin'ny 99.9%.
Black vs. Green Silicon Carbide: Fahatakarana ny fahasamihafana
Ao amin'ny tsena iraisam-pirenena, ny vovoka SiC dia sokajiana amin'ny lokony, izay maneho ny fahadiovany sy ny fampiasana azy.
Black Silicon Carbide (Black SiC)
Black SiC dia misy manodidina ny 95% hatramin'ny 98% SiC. Ny loko maizina dia noho ny habetsahan'ny loto vy sy karbônina.
Toetra mampiavaka: Somary henjana kokoa nefa tsy dia mora vaky noho ny SiC maitso.
Tsara indrindra ho an'ny: Fikosoham-bary mahery vaika toy ny vy, metaly tsy ferrous (varahina, aliminioma), ary fitaovana tsy metaly (vato, fingotra, hazo). Izy io koa no safidy voalohany amin'ny deoxidization metallurgique.
Green Silicon Carbide (maitso SiC)
Green SiC no variana madio kokoa, matetika mihoatra ny 99% ny atiny SiC.
Toetra: Ny hamafin'ny avo kokoa sy ny hery fanapahana ambony kokoa raha oharina amin'ny SiC mainty.
Tsara indrindra ho an'ny: Fikosoham-bary amin'ny fitaovana mafy sy marefo toy ny karbida tungstène, fitaratra optika, seramika, ary wafer semiconductor.
Fampiharana indostrialy voalohany
Metallurgy sy Steelmaking
Ao amin'ny indostrian'ny metallurgical, SiC vovoka dia miasa ho toy ny deoxidizer mahery sy loharanon-tsolika amin'ny cupolas sy lafaoro elektrika.
Tombontsoa: Manatsara ny fikorianan'ny metaly voarendrika, manatsara ny taham-panarenana ny silisiôma sy ny karbaona, ary mampihena ny fanjifana angovo amin'ny dingan'ny fandoroana.
Cast Iron Production: Mampiroborobo ny fiforonan'ny flakes graphite, mitarika amin'ny fanariana vy volondavenona sy ductile avo lenta kokoa.
Abrasive sy Finishing ambonin'ny tany
Ity angamba no fampiasana mahazatra indrindra amin'ny vovoka SiC.
Abrasive mifatotra: Ampiasaina amin'ny fanamboarana kodiaran'ny fikosoham-bary sy kapila manapaka.
Abrasive mifono: Ampiasaina amin'ny sandpapers sy fehikibo fanosotra.
Lapping & Polishing: Ny vovoka SiC tsara dia ampiasaina amin'ny "slurries" ho an'ny fametahana ny valves, gears ary substrate semiconductor.
Refractory sy seramika
Noho ny haavon'ny fandoroana azy (manodidina ny 2,700 ° C) sy ny fanitarana ny hafanana ambany, ny SiC dia fitaovana refractory voalohany.
Fanaka Kiln: Ny takelaka SiC sy ny andry dia ampiasaina amin'ny lafaoro seramika satria tsy mivadika izy ireo eo ambanin'ny enta-mavesatra amin'ny hafanana tafahoatra.
Seramika ara-teknika: Ampiasaina amin'ny akanjo tsy misy bala, peratra tombo-kase ho an'ny paompy, ary disc frein fiara.
Advanced Electronics (Ny Revolisiona SiC)
Ny taonjato faha-21 dia nahita fiakaran'ny fangatahana SiC ho an'ny indostrian'ny semiconductor.
Fitaovam-pahefana: MOSFET sy diodes miorina amin'ny SiC dia mahomby kokoa noho ny singa silisiôma nentim-paharazana. Tena ilaina izy ireo amin'ny rafitra famandrihana haingana sy mpanova amin'ny fiara elektrika (EV).
Fotodrafitrasa 5G: Ny SiC dia toy ny substrate ho an'ny Gallium Nitride (GaN) amin'ny fitaovana SiC, izay manome herinaratra ny toby toby 5G matetika.
Fenitry ny kalitao manerantany ho an'ny SiC Powder
Rehefa sourcing
vovoka SiCeo amin'ny sehatra iraisam-pirenena, ny mpividy dia tsy maintsy mandeha amin'ny rafitra fanasokajiana isan-karazany:
FEPA (Federasiona Eoropeana mpamokatra abrasive): Mampiasa ny tovana "F" (ho an'ny abrasive mifatotra) sy "P" (ho an'ny abrasive mifono) (oh: F240, P1200).
JIS (Fenitra Indostrialy Japoney): Mahazatra amin'ny tsena Aziatika (oh., #3000).
ANSI (American National Standards Institute): Manara-penitra ho an'ny tsenan'i Amerika Avaratra.
Zava-dehibe ny haavon'ny fahadiovana:
Metallurgique Grade: 88% -95% SiC.
Grade abrasive: 96% -98.5% SiC.
Fahadiovana avo / Ceramic Grade: 99% SiC.
Silicon carbide vovoka dia mihoatra lavitra noho ny abrasive tsotra.It dia teknolojia avo lenta izay tetezana ny hantsana eo amin'ny nentim-paharazana orinasa mavesatra sy ny hoavin'ny angovo madio. Amin'ny alalan'ny fahatakarana ny naoty, ny fomba famokarana sy ny fampiharana, metallurgy matihanina sy ny fividianana ny manam-pahaizana dia afaka miantoka fa izy ireo mifidy ny vokatra tsara indrindra ny asa sy ny kalitaon'ny vokatra.
.jpeg)
.png)
