კლდის ღუმელის მეთოდი დაბალი და საშუალო ნახშირბადის ფერომანგანუმის წარმოებისთვის

(1) კლდის ღუმელის ელექტრო ღუმელის მეთოდი
კლდის ღუმელის ელექტრო ღუმელის მეთოდი კლდის ღუმელის დნობის გამოყენების მთავარი მეთოდია. კლდის ღუმელის ელექტრო ღუმელის მეთოდის დანერგვის ძირითადი საფუძველია სამი ღუმელის კავშირი.
უპირველეს ყოვლისა, მანგანუმის წიდა გადამამუშავებელი ღუმელის გვერდითი პროდუქტებიდან დეპონირდება როკერში, შემდეგ კი თხევადი მანგანუმის სილიციუმის შენადნობი, რომელიც წარმოიქმნება მინერალური სითბოს ღუმელში, როკერში. შერყევის ღუმელის სიჩქარით 55-60r/წთ, მანგანუმის წიდაში MnO მცირდება სილიციუმით მანგანუმის სილიციუმის შენადნობაში კარგ კინეტიკური პირობებით. რეაქციის შემდეგ გადართვის შედეგად გამოთავისუფლებული ქიმიური სითბო უზრუნველყოფს დნობის ნორმალურად ჩატარებას.

ქიმიური რეაქციის განტოლება არის:
2MnO + Si = = 2 Mn + SiO2. იმისათვის, რომ წიდა MnO-ს გამოფიტვას დადგენილ მოთხოვნებს აკმაყოფილებდეს გადაყრის შემდეგ, ნარჩენი წიდა იკვრება წყლით და გამოიყენება სამშენებლო მასალების დასამზადებლად. თხევადი შენადნობი გადამამუშავებელი ღუმელისთვის კვალიფიციური მეზოკარბონის მანგანუმის რკინის დამუშავებამდე; ქიმიური რეაქცია გადამუშავების ღუმელში იგივეა, რაც ელექტროსილიციუმის თერმული მეთოდი.


(2) კლდის ღუმელის სილიკონის თერმული მეთოდი
დაბალი ნახშირბადის ფერომანგანუმის წარმოება როკერ ღუმელის სილიკონის თერმული მეთოდით იყო პიონერი იაპონური Shizhima რკინის შენადნობით და შევიდა ოფიციალურ წარმოებაში. იგი ჯერ წინასწარ თბება ლილვში 600 ~ 800 ° C მანგანუმის მადნისა და კირის საქანელში, შემდეგ მინერალური სითბოს ღუმელის მიერ წარმოებული თხევადი მანგანუმის შენადნობი, იწყება როკერი, რხევის სიჩქარე 1 ~ 65r/წთ, როდესაც მუშაობისას, სიჩქარე თანდათან იზრდება ღუმელში ქიმიური რეაქციის ინტენსივობის მიხედვით.


მანგანუმის ოქსიდების ძირითადი შემცირების რეაქციებია: 2Mn2O3+Si===4MnO+SiO2和2MnO+Si===2MnO+SiO2
დესილიკონის რეაქციის უმეტესი ნაწილი ხდება ცხელ-მანგანუმის სილიციუმის შენადნობის პროცესში, ხოლო მცირე ნაწილი ხდება როკერის სრული აჟიოტაჟით. სილიციუმი შენადნობაში ძირითადად იჟანგება, რეაქცია მიდრეკილია დამშვიდებისას, როდესაც გადაყრის ღუმელი, ჩამოსხმული წიდის კონდენსატი დამსხვრევის შემდეგ გამოსაყენებლად ღუმელში დნობის მანგანუმის სილიციუმის შენადნობისთვის. თხევადი შენადნობის ჩამოსხმა ფირფიტის ნომრის წვრილი დაწყობის შემდეგ.